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IPP60R385CPXK
0.943
IPP60R385CPXK 数据手册 (10 页)
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IPP60R385CPXK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
83 W
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
9A
上升时间
5 ns
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IPP60R385CPXK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP60R385CPXK 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.55 MByte

IPP60R385 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R385CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R385CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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