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IPP60R600CP
1.585
IPP60R600CP 数据手册 (10 页)

IPP60R600CP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-Channel
功耗
60 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
6.10 A
上升时间
12 ns
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IPP60R600CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP60R600CP 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.53 MByte

IPP60R600 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R600C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R600C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 7.3A
Infineon(英飞凌)
600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 6A
Infineon(英飞凌)
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