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IPP65R150CFD
3.507
IPP65R150CFD 数据手册 (20 页)

IPP65R150CFD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
195.3 W
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
22.4A
上升时间
7.6 ns
输入电容值(Ciss)
2340pF @100V(Vds)
下降时间
5.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
195.3 W

IPP65R150CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP65R150CFD 数据手册

Infineon(英飞凌)
20 页 / 3.72 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPP65R150 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R150CFDXKSA1, 22 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPP65R150CFDA TO-220-3
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 22.4A
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