￥ 13.565

IPT004N03L 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-HSOF-8

描述:

30V,300A,0.4mOhm,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPT004N03L 数据手册 (12 页)

查看文档

2 标记信息

查看文档

或点击图片查看大图

IPT004N03L 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

9 Pin

封装

PG-HSOF-8

漏源极电阻

0.4 mΩ

极性

N-CH

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

300A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

18000pF @15V(Vds)

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3800 mW

查看数据手册 >

IPT004N03L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.58 mm

宽度

10.1 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IPT004N03L 符合标准

IPT004N03L 海关信息

IPT004N03L 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.22 MByte

IPT004N03L 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPT004N03L 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPT004N03L 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPT004N03L 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.68 MByte

IPT004N03 数据手册

IPT004N03LATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPT004N03LATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 30 V, 0.00037 ohm, 10 V, 2.2 V 新

IPT004N03L 数据手册

Infineon（英飞凌）

30V,300A,0.4mOhm,N沟道功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号