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IPT004N03LATMA1
2.382
IPT004N03LATMA1 数据手册 (12 页)
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IPT004N03LATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-HSOF-8-1
额定功率
300 W
针脚数
8 Position
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
2.2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
300A
上升时间
17 ns
输入电容值(Ciss)
24000pF @15V(Vds)
下降时间
37 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)

IPT004N03LATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
10.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPT004N03LATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 1.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IPT004N03 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPT004N03LATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 30 V, 0.00037 ohm, 10 V, 2.2 V 新
Infineon(英飞凌)
30V,300A,0.4mOhm,N沟道功率MOSFET
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