IPT020N10N3

￥ 3.237

IPT020N10N3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

HSOF-8

描述:

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPT020N10N3 数据手册 (12 页)

IPT020N10N3 数据手册 (12 页)

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IPT020N10N3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

HSOF-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0017 Ω

极性

N-Channel

功耗

375 W

阈值电压

2.7 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

300A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

11200pF @50V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375 W

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IPT020N10N3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.58 mm

宽度

10.1 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPT020N10N3 符合标准

IPT020N10N3 海关信息

IPT020N10N3 概述

IPT020N10N3 数据手册

IPT020N10N3 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.21 MByte

IPT020N10N3 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPT020N10N3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 2.17 MByte

IPT020N10N3 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPT020N10N3 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.68 MByte

IPT020N10 数据手册

IPT020N10N3ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPT020N10N3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.7 V

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Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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Infineon（英飞凌）

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, 表面安装

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