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IPT60R102G7XTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-HSOF-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IPT60R102G7XTMA1 数据手册 (2 页)

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IPT60R102G7XTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

9 Pin

封装

PG-HSOF-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

88 mΩ

功耗

141 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1320pF @400V(Vds)

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

141W (Tc)

IPT60R102G7XTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPT60R102G7XTMA1 符合标准

IPT60R102G7XTMA1 概述

IPT60R102G7XTMA1 数据手册

IPT60R102G7XTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.5 MByte

IPT60R102G7XTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPT60R102G7XTMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPT60R102G7 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPT60R102G7 HSOF-8

IPT60R102G7XTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V

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