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IPW60R099C6
2.49
IPW60R099C6 数据手册 (18 页)
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IPW60R099C6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
90 mΩ
极性
N-Channel
功耗
278 W
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
37.9A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
2660pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
278 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
278W (Tc)

IPW60R099C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPW60R099C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.97 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPW60R099 数据手册

Infineon(英飞凌)
MOS(场效应管)/IPW60R099C6 管装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R099CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R099CPFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R099C6FKSA1, 38 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
IPW60R099CPA 系列 600V 0.105 Ohm N沟道 CoolMOSTM 功率 晶体管-PG-TO-247-3
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 37.9A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPW60R099P7 TO-247-3
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
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