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IPW60R125CP
4.486
IPW60R125CP 数据手册 (27 页)
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IPW60R125CP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
25.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
N-Channel
功耗
208 W
阈值电压
3 V
输入电容
2.50 nF
栅电荷
70.0 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
25.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
208 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
208W (Tc)

IPW60R125CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPW60R125CP 数据手册

Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.67 MByte

IPW60R125 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R125CPFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125C6FKSA1, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
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