￥ 3.707

IPW60R160C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IPW60R160C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPW60R160C6 数据手册 (18 页)

封装尺寸在14 页 15 页

IPW60R160C6 数据手册 (18 页)

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IPW60R160C6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.14 Ω

极性

N-Channel

功耗

176 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

23.8A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

1660pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

176W (Tc)

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IPW60R160C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPW60R160C6 符合标准

IPW60R160C6 海关信息

IPW60R160C6 概述

IPW60R160C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

18 页 / 1.05 MByte

IPW60R160C6 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPW60R160C6 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPW60R160C6 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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