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IPW60R165CPFKSA1
3.381
IPW60R165CPFKSA1 数据手册 (11 页)
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IPW60R165CPFKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
21.0 A
封装
TO-247-3
额定功率
192 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
N-Channel
功耗
192 W
阈值电压
3 V
输入电容
2.00 nF
栅电荷
52.0 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
21.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @100V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
192 W

IPW60R165CPFKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm

IPW60R165CPFKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IPW60R165 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R165CPFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
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