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IPW60R190E6FKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190E6FKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPW60R190E6FKSA1 数据手册 (17 页)

封装尺寸在17 页

IPW60R190E6FKSA1 数据手册 (17 页)

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IPW60R190E6FKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

151 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

170 mΩ

极性

N-CH

功耗

151 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

20.2A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1400pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

151 W

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IPW60R190E6FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPW60R190E6FKSA1 符合标准

IPW60R190E6FKSA1 概述

IPW60R190E6FKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

17 页 / 0.83 MByte

IPW60R190E6FKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPW60R190E6FKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPW60R190E6FKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPW60R190E6FKSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

IPW60R190E6 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPW60R190E6FKSA1 数据手册

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Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190E6FKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

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