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IPW65R080CFDA 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

650V,43.3A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPW65R080CFDA 数据手册 (14 页)

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IPW65R080CFDA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

391 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

43.3A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

4440pF @100V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

391000 mW

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IPW65R080CFDA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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IPW65R080CFDA 符合标准

IPW65R080CFDA 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.08 MByte

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