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IPW65R110CFDFKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IPW65R110 系列 650V 0.11 Ohm N沟道 CoolMOSTM CFD2 功率晶体管-PG-TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPW65R110CFDFKSA1 数据手册 (20 页)

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IPW65R110CFDFKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

277.8 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.099 Ω

极性

N-Channel

功耗

277.8 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

700 V

连续漏极电流(Ids)

31.2A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

3240pF @100V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

277.8 W

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IPW65R110CFDFKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPW65R110CFDFKSA1 符合标准

IPW65R110CFDFKSA1 概述

IPW65R110CFDFKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 3.76 MByte

IPW65R110CFDFKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPW65R110CFDFKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPW65R110CFDFKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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