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IPW65R310CFD
0.436
IPW65R310CFD 数据手册 (20 页)
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IPW65R310CFD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
310 mΩ
极性
N-CH
功耗
104.2 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
700 V
漏源击穿电压
650 V
连续漏极电流(Ids)
11.4A
上升时间
7.5 ns
输入电容值(Ciss)
1100pF @100V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
104.2 W

IPW65R310CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm

IPW65R310CFD 数据手册

Infineon(英飞凌)
20 页 / 3.83 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.76 MByte

IPW65R310 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R310CFDFKSA1, 11.4 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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