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IPW90R120C3FKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247

描述:

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3FKSA1, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPW90R120C3FKSA1 数据手册 (11 页)

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IPW90R120C3FKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247

额定功率

417 W

极性

N-Channel

功耗

417 W

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

36.0 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

6800pF @100V(Vds)

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

417 W

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IPW90R120C3FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

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IPW90R120C3FKSA1 符合标准

IPW90R120C3FKSA1 概述

IPW90R120C3FKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.53 MByte

IPW90R120C3FKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPW90R120C3FKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.73 MByte

IPW90R120C3FKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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