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IPW90R120C3XKSA1
9.574
IPW90R120C3XKSA1 数据手册 (11 页)
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IPW90R120C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-247
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
功耗
417 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
900 V
工作温度(Max)
150 ℃

IPW90R120C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IPW90R120C3XKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.53 MByte

IPW90R120C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW90R120C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3FKSA1, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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