￥ 1.122

IPW90R1K2C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IPW90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPW90R1K2C3 数据手册 (11 页)

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IPW90R1K2C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.94 Ω

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

5.10 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

710pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

83 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

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IPW90R1K2C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPW90R1K2C3 符合标准

IPW90R1K2C3 概述

IPW90R1K2C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.62 MByte

IPW90R1K2 数据手册

IPW90R1K2C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPW90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

IPW90R1K2C3FKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPW90R1K2C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

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