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IPW90R1K2C3FKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IPW90R1K2C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPW90R1K2C3FKSA1 数据手册 (11 页)

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IPW90R1K2C3FKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

83 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.94 Ω

极性

N-CH

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

5.1A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

710pF @100V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83000 mW

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IPW90R1K2C3FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

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IPW90R1K2C3FKSA1 符合标准

IPW90R1K2C3FKSA1 概述

IPW90R1K2C3FKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.62 MByte

IPW90R1K2C3FKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPW90R1K2C3FKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.73 MByte

IPW90R1K2C3FKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPW90R1K2C3FKSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

IPW90R1K2C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPW90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

IPW90R1K2C3FKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPW90R1K2C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

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