器件3D模型

￥ 0.67

IR2011STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IR2011STRPBF 数据手册 (18 页)

封装尺寸在15 页

典型应用电路图在2 页

原理图在5 页

IR2011STRPBF 数据手册 (18 页)

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IR2011STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

10.0V (min)

封装

SOIC-8

额定功率

0.625 W

上升/下降时间

35ns, 20ns

输出接口数

2 Output

输出电流

1 A

功耗

625 mW

静态电流

140 µA

上升时间

50 ns

下降时间

35 ns

下降时间(Max)

35 ns

上升时间(Max)

50 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

电源电压

10V ~ 20V

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IR2011STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.50 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IR2011STRPBF 符合标准

IR2011STRPBF 海关信息

IR2011STRPBF 概述

IR2011STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

18 页 / 1.26 MByte

IR2011STRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IR2011STRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IR2011STRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

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INFINEON IR2011PBF. 双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 1A输出, 75ns延迟, DIP-8

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