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IR2104SPBF
器件3D模型
1.256
IR2104SPBF 数据手册 (14 页)
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IR2104SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
625 mW
上升/下降时间
100ns, 50ns
输出接口数
2 Output
输出电压
620 V
输出电流
210 mA
针脚数
8 Position
功耗
0.625 W
静态电流
150 µA
上升时间
100 ns
下降时间
50 ns
下降时间(Max)
90 ns
上升时间(Max)
170 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2104SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2104SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte

IR2104 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2104STRPBF  芯片, MOSFET/IGBT驱动器 半桥
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2104STRPBF  芯片, MOSFET驱动器, 半桥, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2104PBF  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2104SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2104PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2104SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-8 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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