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IR2108PBF
器件3D模型
1.46
IR2108PBF 数据手册 (23 页)
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IR2108PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
工作电压
10V ~ 20V
封装
PDIP-8
额定功率
1 W
上升/下降时间
150ns, 50ns
输出接口数
2 Output
输出电压
0.20 V
输出电流
200.350 mA
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
1000 mW
上升时间
220ns (Max)
下降时间
80ns (Max)
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
220 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2108PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.92 mm
宽度
7.11 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IR2108PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
23 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IR2108 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2108SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, 低/高压侧, NSOIC-16 新
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21084SPBF  双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2108PBF  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21084STRPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, SOIC-28 新
International Rectifier(国际整流器)
MOS管驱动器芯片
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2108PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2108SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-8 新
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