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IR21271S
器件3D模型
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IR21271S 数据手册 (16 页)
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IR21271S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
20.0V (max)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
80ns, 40ns
输出接口数
1 Output
输出电压
≥9.00 V
输出电流
0.25 A
功耗
625 mW
零部件系列
IR21271
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
9V ~ 20V

IR21271S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR21271S 数据手册

Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IR21271 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21271SPBF  芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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