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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Infineon(英飞凌) > IR2136JTRPBF Datasheet 文档
IR2136JTRPBF
器件3D模型
4.752
IR2136JTRPBF 数据手册 (36 页)
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IR2136JTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
44 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
PLCC-44
上升/下降时间
125ns, 50ns
输出接口数
6 Output
针脚数
44 Position
功耗
2000 mW
静态电流
2.3 mA
上升时间
190 ns
下降时间
75 ns
下降时间(Max)
75 ns
上升时间(Max)
190 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2136JTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2136JTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
36 页 / 0.87 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IR2136 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2136SPBF  桥接芯片, 3相, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, SOIC-28
International Rectifier(国际整流器)
600V,三相桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2136PBF  驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, DIP-28
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2136JTRPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 三相桥接器, WSOIC-28 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21363STRPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, PLCC-44 新
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21363JPBF  芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21364STRPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 半桥接器, NSOIC-8 新
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