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器件3D模型
￥ 3.86
IR2136SPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-28
描述:
INFINEON IR2136SPBF 桥接芯片, 3相, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, SOIC-28
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IR2136SPBF 数据手册 (36 页)
封装尺寸
在
34 页
35 页
典型应用电路图
在
1 页
原理图
在
6 页
7 页
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IR2136SPBF 数据手册
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IR2136SPBF 数据手册 (36 页)
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IR2136SPBF 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
28 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-28
上升/下降时间
125ns, 50ns
输出接口数
6 Output
输出电压
620 V
输出电流
200 mA
针脚数
28 Position
功耗
1600 mW
静态电流
1.6 mA
上升时间
125 ns
下降时间
50 ns
下降时间(Max)
75 ns
上升时间(Max)
190 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V
查看数据手册 >
IR2136SPBF 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
18.1 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
IR2136SPBF 符合标准
IR2136SPBF 海关信息
IR2136SPBF 概述
●
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon
●
一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压，且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
查看数据手册 >
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IR2136SPBF 数据手册
IR2136SPBF
数据手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 0.87 MByte
IR2136SPBF
产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
48 页 / 7.29 MByte
IR2136SPBF
其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
IR2136SPBF
开发手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.41 MByte
IR2136SPBF
产品修订记录
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.06 MByte
IR2136 数据手册
IR2136
数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IR2136
STRPBF
数据手册
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
IR2136
SPBF
数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136SPBF 桥接芯片, 3相, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, SOIC-28
IR2136
STRPBF
数据手册
International Rectifier（国际整流器）
600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V
IR2136
PBF
数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136PBF 驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, DIP-28
IR2136
JTRPBF
数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2136JTRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 三相桥接器, WSOIC-28 新
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INFINEON IR21363STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 半桥接器, PLCC-44 新
IR2136
JPBF
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Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
IR2136
3JPBF
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21363JPBF 芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边
IR2136
4STRPBF
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IR21364STRPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 半桥接器, NSOIC-8 新
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