器件3D模型

￥ 2.889

IR2153DPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

DIP-8

描述:

INFINEON IR2153DPBF 双功率芯片, 半桥, 10V-20V电源, 660ns延迟, DIP-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IR2153DPBF 数据手册 (9 页)

典型应用电路图在1 页

原理图在6 页

IR2153DPBF 数据手册 (9 页)

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IR2153DPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

8 Pin

电源电压

10.0V (min)

封装

DIP-8

上升/下降时间

80ns, 45ns

输出接口数

2 Output

输出电压

10V ~ 20V

输出电流

400 mA

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

功耗

1000 mW

上升时间

150 ns

下降时间

100 ns

下降时间(Max)

100 ns

上升时间(Max)

150 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1000 mW

电源电压

10V ~ 15.6V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

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IR2153DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tube

长度

10.92 mm

宽度

7.11 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

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IR2153DPBF 符合标准

IR2153DPBF 概述

IR2153DPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.15 MByte

IR2153DPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IR2153DPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IR2153DPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

IR2153DPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IR2153DPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.11 MByte

IR2153 数据手册

IR2153PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IR2153PBF 芯片, MOSFET/IGBT驱动器半桥

IR2153STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

IC，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

IR21531STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IR21531STRPBF 芯片, 驱动器, 半桥, 自振荡, 8SOIC

IR2153SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IR2153SPBF 双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 250mA输出, 660ns延迟, SOIC-8

IR2153DPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IR2153DPBF 双功率芯片, 半桥, 10V-20V电源, 660ns延迟, DIP-8

IR21531SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IR21531SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, SOIC-8

IR21531DPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IR21531DPBF 驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, DIP-8

IR21531PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

PWM（脉冲宽度调制）- FF（固定频率）IC，Infineon### 交流-直流功率转换，Infineon

IR2153STRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IR2153STRPBF 编带

IR2153PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入两个独立的栅极驱动器匹配的传播延迟，用于两个通道输出相位，带输入无铅，符合 RoHS MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

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