器件3D模型

￥ 1.144

IR2161STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IR2161STRPBF 数据手册 (20 页)

封装尺寸在19 页

典型应用电路图在1 页

原理图在7 页

IR2161STRPBF 数据手册 (20 页)

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IR2161STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

34kHz ~ 70kHz

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出接口数

2 Output

供电电流

10 mA

功耗

625 mw

下降时间(Max)

140 ns

上升时间(Max)

250 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-25 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

电源电压

11.5V ~ 16.5V

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IR2161STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-25℃ ~ 125℃

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IR2161STRPBF 符合标准

IR2161STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 0.44 MByte

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