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IR2181STRPBF
器件3D模型
0.766
IR2181STRPBF 数据手册 (21 页)
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IR2181STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
20.0V (max)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
40ns, 20ns
输出接口数
2 Output
输出电流
1.9 A
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
零部件系列
IR2181
静态电流
120 µA
上升时间
40 ns
下降时间
20 ns
下降时间(Max)
35 ns
上升时间(Max)
60 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IR2181STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2181STRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
21 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte

IR2181 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2181SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2181STRPBF  芯片, 驱动器, 高/低压侧, 8SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21814SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2181PBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
高端和低端驱动器
International Rectifier(国际整流器)
半桥 IGBT MOSFET 灌:1.9A 拉:2.3A
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