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IRF100B201
1.407
IRF100B201 数据手册 (12 页)
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IRF100B201 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
功耗
441 W
上升时间
97 ns
输入电容值(Ciss)
9500pF @50V(Vds)
下降时间
100 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
441000 mW

IRF100B201 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
高度
9.02 mm

IRF100B201 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.6 MByte

IRF100 数据手册

Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
IRF100B202 管装
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 462 A, 0.00107 ohm, TO-247AC, 通孔
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 304 A, 0.0014 ohm, TO-247AC, 通孔
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