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IRF100S201 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF100S201 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

IRF100S201 数据手册 (12 页)

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IRF100S201 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0035 Ω

极性

N-CH

功耗

441 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

192A

上升时间

97 ns

输入电容值(Ciss)

9500pF @50V(Vds)

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

441000 mW

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IRF100S201 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF100S201 符合标准

IRF100S201 概述

IRF100S201 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.6 MByte

IRF100S201 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF100S201 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF100S201 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF100S201 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRF100S201 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.14 MByte

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