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IRF1010NSTRLPBF
1.397
IRF1010NSTRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRF1010NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
85.0 A
封装
TO-263-3
极性
N-Channel
功耗
180 W
零部件系列
IRF1010NS
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0 V
连续漏极电流(Ids)
85.0 A
上升时间
76.0 ns
输入电容值(Ciss)
3210pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
180 W

IRF1010NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRF1010NSTRLPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.14 MByte

IRF1010 数据手册

VISHAY(威世)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010EZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
IRF1010EZSTRLP 编带
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