IRF1104L 数据手册 - Infineon（英飞凌）

功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS（ON） = 0.009ohm ，ID = 100A ） Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A)

INFINEON  IRF1104PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 9 mohm, 10 V, 4 V

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1104PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 100A, TO-220AB 新

N 通道功率 MOSFET 超过 100A，International Rectifier International Rectifier 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管，International Rectifier International Rectifier 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。