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IRF1104LPBF
0.814
IRF1104LPBF 数据手册 (10 页)
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IRF1104LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
100 A
封装
TO-262-3
漏源极电阻
0.009 Ω
极性
N-Channel
功耗
170 W
零部件系列
IRF1104L
输入电容
2900pF @25V
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40.0 V
连续漏极电流(Ids)
100 A
上升时间
114 ns
输入电容值(Ciss)
2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.4 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF1104LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
高度
9.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF1104LPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.25 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.26 MByte

IRF1104 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(ON) = 0.009ohm ,ID = 100A ) Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1104PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1104PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 100A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,International Rectifier International Rectifier 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管,International Rectifier International Rectifier 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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