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IRF1310N
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IRF1310N 数据手册 (11 页)
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IRF1310N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
42.0 A
封装
TO-220
漏源极电阻
36 mΩ
极性
N-Channel
功耗
170 W
零部件系列
IRF1310N
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
42.0 A
上升时间
56.0 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF1310N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF1310N 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.15 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.09 MByte

IRF1310 数据手册

Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 沟道 100 V 160 W 110 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1310NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1310NSPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, D2-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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