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IRF1310NSTRLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 沟道 100 V 160 W 110 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF1310NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF1310NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

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IRF1310NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.036 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.8 W

阈值电压

4 V

输入电容

1900 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

42A

上升时间

56 ns

输入电容值(Ciss)

1900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.8 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 160W (Tc)

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IRF1310NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF1310NSTRLPBF 符合标准

IRF1310NSTRLPBF 概述

IRF1310NSTRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.7 MByte

IRF1310NSTRLPBF 产品设计参考手册

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270 页 / 11.59 MByte

IRF1310NSTRLPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF1310NSTRLPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF1310NSTRLPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF1310NSTRLPBF 产品封装文件

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