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IRF1310NSTRRPBF
0.93
IRF1310NSTRRPBF 数据手册 (4 页)
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IRF1310NSTRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
D2PAK
漏源极电阻
0.036 Ω
极性
N-Channel
功耗
160 W
零部件系列
IRF1310NS
输入电容
1900pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
42.0 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF1310NSTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Roll
长度
10.67 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF1310NSTRRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
4 页 / 0.2 MByte

IRF1310 数据手册

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N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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