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IRF1404PBF
0.832
IRF1404PBF 数据手册 (9 页)
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IRF1404PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
162 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4 mΩ
极性
N-Channel
功耗
333 W
零部件系列
IRF1404
阈值电压
4 V
输入电容
5669pF @25V
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
202 A
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
5669pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
333 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF1404PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF1404PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.25 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
5 页 / 0.04 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.19 MByte

IRF1404 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF1404 管装
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(ON) = 0.004ohm ,ID = 162A ) Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1404PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1404ZPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
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