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IRF1404ZSTRLPBF
0.47
IRF1404ZSTRLPBF 数据手册 (12 页)
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IRF1404ZSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
额定功率
220 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0027 Ω
极性
N-CH
功耗
200 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
190A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
4340pF @25V(Vds)
下降时间
58 ns
工作温度(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
200W (Tc)

IRF1404ZSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF1404ZSTRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF1404 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF1404 管装
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(ON) = 0.004ohm ,ID = 162A ) Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1404PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1404ZPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1404LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
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