Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRF1405ZPBF Datasheet 文档
IRF1405ZPBF
0.626
IRF1405ZPBF 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF1405ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
230 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0049 Ω
极性
N-Channel
功耗
230 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
150A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
4780pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
230 W
下降时间
82 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
230W (Tc)

IRF1405ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF1405ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.05 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRF1405 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
New Jersey Semiconductor
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 5.3mohm ,ID = 169A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=169A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1405PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1405ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 4.9 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1405PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 169A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N沟道 55V 75A
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF1405 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z