￥ 1.527

IRF200P223 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-247-3

描述:

场效应管(MOSFET) IRF200P223 TO-247AC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRF200P223 数据手册 (28 页)

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IRF200P223 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

313 W

漏源极电压(Vds)

200 V

上升时间

66 ns

输入电容值(Ciss)

5094pF @50V(Vds)

下降时间

62 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

313000 mW

IRF200P223 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF200P223 符合标准

IRF200P223 概述

IRF200P223 数据手册

IRF200P223 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 1.49 MByte

IRF200P223 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF200P223 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF200P223 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

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