￥ 2.705

IRF250P225 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-247-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 69 A, 250 V, 0.018 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF250P225 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF250P225 数据手册 (8 页)

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IRF250P225 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

功耗

313 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

250 V

上升时间

54 ns

输入电容值(Ciss)

4897pF @50V(Vds)

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

313000 mW

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IRF250P225 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF250P225 符合标准

IRF250P225 概述

IRF250P225 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.12 MByte

IRF250P225 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF250P225 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF250P225 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF250P225 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

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