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IRF2804STRL7PP
1.466
IRF2804STRL7PP 数据手册 (11 页)
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IRF2804STRL7PP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
7 Pin
封装
TO-263-7
额定功率
330 W
针脚数
7 Position
漏源极电阻
0.0012 Ω
极性
N-CH
功耗
330 W
阈值电压
4 V
输入电容
6930 pF
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
280A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
6930pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
330 W
下降时间
130 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
330W (Tc)

IRF2804STRL7PP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
10.5 mm
宽度
10.05 mm
高度
4.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF2804STRL7PP 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRF2804STRL7 数据手册

Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon(英飞凌)
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