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IRF2805PBF
0.658
IRF2805PBF 数据手册 (9 页)
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IRF2805PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
330 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0047 Ω
极性
N-Channel
功耗
330 W
阈值电压
4 V
输入电容
5110 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
75A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
5110pF @25V(Vds)
下降时间
110 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
330W (Tc)

IRF2805PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF2805PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.04 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRF2805 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2805SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 135 A, 55 V, 4.7 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,75A,4.7mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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