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IRF2807PBF
0.415
IRF2807PBF 数据手册 (8 页)
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IRF2807PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
82.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
13 mΩ
极性
N-Channel
功耗
230 W
零部件系列
IRF2807
阈值电压
4 V
输入电容
3820pF @25V
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
82.0 A
上升时间
64.0 ns
输入电容值(Ciss)
3820pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
230 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF2807PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF2807PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.23 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
5 页 / 0.04 MByte

IRF2807 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V ,ID = 82A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
Vishay Semiconductor(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF2807PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 82A TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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