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IRF2807ZSTRRPBF
1.324
IRF2807ZSTRRPBF 数据手册 (12 页)
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IRF2807ZSTRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
额定功率
170 W
极性
N-CH
功耗
170W (Tc)
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
89A
输入电容值(Ciss)
3270pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
170W (Tc)

IRF2807ZSTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Roll
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF2807ZSTRRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.39 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF2807 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V ,ID = 82A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
Vishay Semiconductor(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF2807PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 82A TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2807SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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