Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF3315PBF Datasheet 文档
IRF3315PBF
1
IRF3315PBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF3315PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
27.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
70 mΩ
极性
N-Channel
功耗
94 W
零部件系列
IRF3315
阈值电压
4 V
输入电容
1300pF @25V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
27.0 A
上升时间
32.0 ns
热阻
1.6℃/W (RθJC)
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
94 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF3315PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF3315PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.28 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
5 页 / 0.04 MByte

IRF3315 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON) = 0.07ohm ,ID = 27A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
New Jersey Semiconductor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3315PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3315SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 82 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3315PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 27A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 150V 21A
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF3315 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z