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IRF3703PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRF3703PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF3703PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF3703PBF 数据手册 (9 页)

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IRF3703PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

230 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0028 Ω

极性

N-Channel

功耗

230 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

210A

上升时间

123 ns

输入电容值(Ciss)

8250pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.8 W

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

175 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

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IRF3703PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF3703PBF 符合标准

IRF3703PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.17 MByte

IRF3703PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF3703PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 3.97 MByte

IRF3703PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF3703PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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