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IRF3704Z
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IRF3704Z 数据手册 (12 页)
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IRF3704Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-Channel
功耗
57.0 W
零部件系列
IRF3704Z
漏源击穿电压
20.0 V

IRF3704Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IRF3704Z 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.28 MByte
International Rectifier(国际整流器)
13 页 / 0.29 MByte

IRF3704 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON)最大值= 9.0mohm ,ID = 77A ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 20V 67A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 20V 77A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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