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IRF4905STRLPBF
0.512
IRF4905STRLPBF 数据手册 (12 页)
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IRF4905STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
200 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
20 mΩ
极性
P-CH
功耗
200 W
阈值电压
4 V
输入电容
3500pF @25V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
74A
上升时间
99 ns
输入电容值(Ciss)
3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
170 W
下降时间
64 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170W (Tc)

IRF4905STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF4905STRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF4905 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.02ohm ,ID = -74A ) Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF4905PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF4905STRLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, 20 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF4905PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 74A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF4905STRLPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 74A, D2-PAK
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF4905SPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 64 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF4905LPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF4905STRRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -42 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -4 V
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