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IRF510SPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

VISHAY IRF510SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF510SPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF510SPBF 数据手册 (8 页)

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IRF510SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.54 Ω

极性

N-Channel

功耗

43 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

5.60 A

输入电容值(Ciss)

180pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.7 W

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IRF510SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

高度

4.83 mm

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IRF510SPBF 符合标准

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Vishay Semiconductor（威世）

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